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在手機、路由器、機頂盒等 5~24 W 適配器市場，“省光耦+省 TL431” 幾乎成了 BOM 成本競賽的入場券。FT8395PB2 把 750 V 高壓 MOSFET、原邊恒壓/恒流（CV/CC）控制、準諧振（QR）+ PFM 抖頻 EMI 優化全部塞進 8 個引腳，官方宣稱“外圍極簡”。
實際打樣 12 V-200 mA（2.4 W）適配器，外圍元件 < 20 顆，效率 > 82 %（230 VAC），待機功耗 < 30 mW，足夠覆蓋 90~264 V 全電壓輸入——這就是本文的主角。
| 引腳號 | 名稱 | 功能拆解 | 12 V/200 mA 設計要點 |
|---|---|---|---|
| 1 | VCC | 芯片供電 | 10~27 V 啟動后由輔助繞組供電，推薦 22 μF/50 V 低 ESR 電解 |
| 2 | GND | 芯片地 | 單點接高壓地，走線粗短，遠離 FB 采樣路徑 |
| 3 | FB | 輸出電壓反饋 | 通過分壓電阻檢測輔助繞組電壓，R1/R2 比例決定 12 V 輸出；預留 100 pF 小電容做斜坡補償 |
| 4 | CS | 原邊電流采樣 | 0.5 Ω 金屬膜電阻，峰值電流限制 ≈ 0.5 V / 0.5 Ω = 1 A，兼顧 200 mA 輸出與短路保護 |
| 5~6 | HV | 內部 750 V MOSFET 漏極 | 直接接變壓器原邊，注意爬電距離 ≥ 6 mm；RCD 吸收回路靠近 HV 引腳 |
| 7~8 | NC/散熱焊盤 | 機械固定 | 大面積敷銅散熱，底部開窗過孔至內層地 |
小貼士：FT8395PB2 把高壓 MOS 集成在 5-6 腳，PCB 布線時務必讓 HV 銅箔“短粗直”，否則 EMI 與浪涌測試會哭。
典型功率表如下所示：
| 型號 | 封裝 | 90~264 VAC | 30 Vac±15 % |
|---|---|---|---|
| FT8395PB2 | SOP-8 | 24 W | 30 W |
12 V-200 mA 只有 2.4 W，看似“大馬拉小車”，但好處多多：
預留 10 倍余量，變壓器溫升 < 25 K，無需灌膠。
效率曲線在 10 %~100 % 負載幾乎平直，輕載待機功耗輕松過 CoC V5 Tier 2。
高壓 MOS 導通電阻 5 Ω（典型），2.4 W 輸出時導通損耗 < 0.1 W，芯片表面溫升 < 30 °C（45 °C 環溫，自然對流）。
| 功能 | 推薦值 | 備注 |
|---|---|---|
| 變壓器 | EE13/EE16 | 原邊 220 μH，輔助 12 V 繞組 11T，漏感 < 5 % |
| RCD 吸收 | R=100 kΩ, C=100 pF/1 kV, D=UF4007 | 鉗位電壓 < 650 V，保護 HV 引腳 |
| VCC 濾波 | 22 μF/50 V + 100 nF/50 V | 啟動后 12 V 輔助繞組供電 |
| 輸出整流 | 同步整流 FT8374x（官方推薦） | 效率提升 3~5 %，溫升再降 10 °C |
| 輸出濾波 | 470 μF/16 V ×2 | 紋波 < 50 mVpp，滿足 USB 供電要求 |
| FB 分壓 | R1=100 kΩ, R2=7.5 kΩ | 12 V 輸出時 FB ≈ 1.25 V（內部基準） |
檢查輔助繞組與輸出繞組耦合，漏感尖峰導致 FB 采樣提前；在輔助繞組并聯 5 kΩ 假負載即可。
PFM 抖頻模式下，磁芯機械共振；換 EE16 或浸漆變壓器，或在輸出端加 2 mA 假負載。
HV 引腳到地距離 < 6 mm，把 RCD 吸收的地單獨走線，避免與 FB 采樣地共線。
FT8395PB2 用“一顆 SOP-8 + 極簡外圍”詮釋了原邊反饋的極致：
省掉光耦、TL431、次級恒流檢測；
集成 750 V MOSFET，直接驅動 12 V/200 mA；
QR+PFM+抖頻，EMI 一腳踢；
5 重保護（OCP/OTP/OLP/VCC OVP/輸出短路），量產不翻車。
如果你下個項目需要 5~24 W 小功率適配器，又不想在 BOM 上“卷”到懷疑人生，FT8395PB2 值得一試。