FT8393MDD1-DRB 是FMD推出的 原邊反饋（PSR）恒流/恒壓控制器，內(nèi)部集成 650 V 功率 MOSFET，采用 SOP-7 封裝，目標(biāo)功率 5 V/3.4 A（17 W）。最大亮點(diǎn)：無需光耦、無需 TL431、無需次級(jí)電流檢測(cè)，即可實(shí)現(xiàn) ±3 % 恒壓精度、±5 % 恒流精度，輕松滿足 DoE Level VI 能效，專為 USB 快充、機(jī)頂盒輔助電源、無線路由器適配器而設(shè)計(jì)。

典型應(yīng)用電路：2 顆電阻 1 顆電容完事

BOM 極簡(jiǎn)：

• 電流檢測(cè)：Rcs 一顆 1 % 電阻
• 電壓反饋：RFBU、RFBD 兩顆 1 % 電阻
• VCC 電容：10 μF/25 V X7R
• 輸出電容：470 μF ×2（低 ESR）
• 無 Y 電容設(shè)計(jì)，傳導(dǎo) EMI 余量 > 6 dB

管腳封裝與定義（SOP-7）

內(nèi)部框圖：一顆芯片 = 控制器 + MOSFET + 保護(hù)器

關(guān)鍵模塊：

• QR 控制：谷底導(dǎo)通，最高 115 kHz，效率提升 2 %
• 線補(bǔ)：隨負(fù)載增大自動(dòng)抬高 FB 基準(zhǔn)，補(bǔ)償電纜壓降 3 %/6 %/9 % 可選
• CC 算法：原邊 Ipks 采樣 + 退磁時(shí)間計(jì)算，恒流精度 ±5 %
• CV 算法：輔助繞組平臺(tái)電壓與 2 V 基準(zhǔn)比較，恒壓精度 ±3 %

電氣亮點(diǎn)速覽

調(diào)試錦囊

1. CC 點(diǎn)校準(zhǔn)：
   IOUT = 0.5 × Kcc × NPS / Rcs
   Kcc = 500 mV，NPS = Np/Ns，Rcs 1 % 精度即可
2. 線補(bǔ)選型：
   MDD1 = 3 % 固定；MDD2 = 6 %；MDD3 = 9 %，根據(jù)電纜長度選
3. QR 變壓器：
   漏感 < 5 μH，諧振頻率 600 kHz-1 MHz，避免谷底錯(cuò)位
4. EMI 優(yōu)化：
   DRAIN 鋪銅 < 8 mm × 8 mm，RCD 吸收并 100 pF 小電容，抑制振鈴

實(shí)測(cè)效率（Demo 板 5 V/3.4 A）

深圳三佛科技提供技術(shù)支持，批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~

一句話總結(jié)

FT8393MDD1-DRB 用 一顆 SOP-7 芯片 + 2 顆電阻 + 1 顆電容 就把 17 W 快充做成“三無”產(chǎn)品：
無光耦、無 TL431、無次級(jí)電流檢測(cè)。
下次做 5 V 3.4 A 適配器，記住：
“MDD1 一貼，BOM 省一半，認(rèn)證一次過。”