在現(xiàn)代電子設(shè)備不斷追求更高效、更緊湊、更低成本電源解決方案的今天,LP3798ESM芯片以其卓越的性能和高度集成化的設(shè)計,成為了市場上的一顆璀璨新星。這款芯片不僅滿足了24W小體積電源方案的需求,還通過了全面的安全認(rèn)證,為設(shè)計工程師提供了一個理想的選擇。本文將深入探討LP3798ESM芯片的特性和優(yōu)勢,以及它如何幫助實現(xiàn)全壓過認(rèn)證的低成本解決方案。
典型應(yīng)用電路(24W Demo)
BOM 亮點

內(nèi)部框架圖解讀
750V SiC Power MOSFET
直接省掉外部高壓開關(guān),Rdson 1.0Ω,溫升低,雷擊 4kV 仍有余量。
Peak-Current Mode Controller
內(nèi)置 0.25-0.95V 斜坡補償,CCM/DCM 自動切換,占空比>50% 無次諧波振蕩。
三階段 PFM
重載:100kHz 定頻 + 峰值電流跟蹤
中載:65→24kHz 降頻,音頻能量分散
空載:125Hz 跳周期,待機 40mW
抖頻 EMI 引擎
128μs 大周期,±3% 頻率擺動,傳導(dǎo)峰值降低 5dB,無需共模電感即可過 Class B。
全功能保護庫
OVP/UVP/OCP/OTP/FB 開短路/CS 開短路/TONMAX,全部自恢復(fù),提高產(chǎn)線良率。

關(guān)鍵設(shè)計公式與選型
輸出電壓設(shè)定
Vo = (VFB_REG + Icable·RFBH) · (NS/NA) + VD
VFB_REG=2.5V,Icable=36μA(內(nèi)置線補),RFBH/RFBL 按匝比選取即可。
恒流點設(shè)定
IOCP = VREFCCP · NP /(NS·RCS)
VREFCCP=0.255V,NP:NS=210:14,RCS=0.25Ω → IOCP≈2.1A
變壓器規(guī)格
輸入/輸出電容
Cin:2×22μF/400V + 1μF/50V 陶瓷;Cout:2×1000μF/16V LOW-ESR,紋波 92mV
性能速覽(基于 12V2A 測試報告)
| 項目 | 實測值 | 備注 |
|---|
| 峰值效率 | 90.7%@230V/2A | 板端,熱機 |
| 空載功耗 | 58mW@230V | 滿足 CoC V5 Tier-2 |
| 輸出紋波 | 92mV@264V/2A | <200mV 全范圍 |
| 動態(tài)負(fù)載 0-100% | ΔVo=±1V,恢復(fù) 300μs | 內(nèi)置斜坡補償 |
| 保持時間 | 112ms@264V | >20ms 安規(guī)紅線 |
| 雷擊 | ±4kV L-PE/N-PE | PASS |
| 靜電 | 接觸±8kV/空氣±15kV | PASS |
| OTP | 150℃自恢復(fù) | 45℃殼內(nèi)滿載 4h 無降額 |
PCB 與布線要點
功率環(huán)路(母線電容→變壓器→內(nèi)置D)面積 <30mm2,走線寬短。
CS 采樣電阻 Kelvin 到 GND,遠(yuǎn)離高壓節(jié)點;RCS=0.25Ω/1W,緊貼 4 腳。
VCC 旁路 1μF+100nF 緊靠 2 腳,過孔到內(nèi)層地。
FB 分壓電阻靠近 3 腳,節(jié)點面積 <2mm×2mm,防止注入噪聲。
散熱:ASOP-6 底部焊盤打 9 孔 0.3mm 到內(nèi)層銅,溫升再降 8℃。

總結(jié)
LP3798ESM 用一顆 ASOP-6 芯片把 750V SiC、原邊 CV/CC 控制器、全套保護、抖頻 EMI 全部集成,提供 24W 級別「全壓輸入、過認(rèn)證、低成本、小體積」四大價值:
BOM 從 38 顆砍到 33 顆,成本立降 20%
峰值效率 90.7%,空載 <60mW,輕松滿足全球能效
單層板+抖頻技術(shù),傳導(dǎo)余量 >6dB,無需共模電感
雷擊 4kV、靜電 15kV、45℃ 殼內(nèi)滿載不死機,可靠性一步到位
綜上所述,LP3798ESM芯片以其全壓過認(rèn)證、低成本和小體積的特性,為24W電源方案提供了一個全面而高效的解決方案。隨著技術(shù)的不斷進步和市場對電源解決方案要求的日益增長,LP3798ESM無疑將成為未來電源設(shè)計中的一個關(guān)鍵角色,推動更多創(chuàng)新電子產(chǎn)品的誕生。深圳三佛科技提供完整資料技術(shù)支持,批量價格有優(yōu)勢~